3nm都已量产，台积电已打算于2025年推出2nm工艺！

在此之后，就有最新消息指为宏碁或将在9月份年末量蓄积3nm生蓄积工艺，预计于第三季下旬投片量就会有一个不断的拉升，而第四季度的投片量会远超上千的水平并且年末进入量蓄积期中会。

在在，有台媒报道指为，宏碁可能在2025年年末推出2nmMOS，同时的蓄积品层面也广泛看好宏碁的2nmMOS生蓄积工艺年初领先三星电子以及英特尔。目前，宏碁2nm晶圆厂将坐落于竹科吴江二期整修计画用地中会，竹科管理局已展开公共建筑新建，宏碁也早已开始整建作业。

据的资讯揭示，宏碁2nmMOS将有别于GAAFET架构，相对于宏碁3nm，在并不相同耗电量下速度慢10%至15%，在并不相同速度下耗电量减低25%至30%，应用领域值得注意移动推算、轻量推算及完备的小ROM紧密结合解决方案。

宏碁总裁魏哲家此前也在新科技论坛中会忽视，宏碁 2nm 就会是密度最优、效能最出色的新科技。的蓄积品也看好，宏碁 2nm 施工进度将领先击倒三星电子及英特尔。可以显露出，这次宏碁在2nm的研发上是来得有决心的，作为晶圆行业的领头羊，宏碁在2nm生蓄积工艺上的建模会受到外间的绝对关注，这也反之亦然这项生蓄积工艺对于宏碁来说意味重大。

宏碁科学研究工业发展资深副社长坚称，将在2024年取得ASML下代人极紫外光刻通讯设备，为供应商工业发展相关的基础设施与架构解决方案。宏碁经营范围开发资深副社长则坚称，2024年取得通讯设备后，初主要用于与商业伙伴共同科学研究，并不必直接投入量蓄积，仅仅的量蓄积就会是在2025年。

也有最新消息指为，宏碁在3nmMOS生蓄积工艺上过于自由派，这主要是因为鳞片宽早已相似仅仅极限，再进一步向下探会遇见困难重重，所以外资私法有鉴于宏碁 2nm 高科技MOS将有别于环绕式闸极场效电晶体 GAAFET 新一代架构生蓄积 2nm ROM。

在3nm生蓄积工艺层面，有传言指为由于宏碁3nm生蓄积工艺的能效难题，没有远超苹果的要求可能反之亦然流蓄积，但是宏碁在3nm上的研发施工进度却没有停摆，在加速研发同类型的MOS生蓄积工艺新科技。

根据宏碁公布的数据，N3生蓄积工艺将于2022年内开始量蓄积，不足之处会推出迭代的N3E、N3X以及N3P等MOS生蓄积工艺。其中会，N3E将于明年做到量蓄积。这则最新消息可以说是辟谣了宏碁抛弃N3生蓄积工艺转投N3E生蓄积工艺的传闻，这也反之亦然台积几乎会基于N3生蓄积工艺来仿造苹果的同类型ROM。

不出意外的话，明年的iPhone 15就会搭载基于宏碁N3生蓄积工艺打造的A17ROM。宏碁而今继续加强提升生蓄积工艺，虽然三星电子早前就司宣将世界各地首发3nm生蓄积工艺ROM，但是在整体的可靠性的上，宏碁也是凭借多年的受到好评给的蓄积品带来了不少的决心。